مقاطع تحصیلی
جستجو در منظومه
فصل 3پرسش ـ3 7دریافت خود را از شکل های الف و ب بیان کنید. در بیان → Bخود، به چگونگی تغییر جهت و ٔ اندازه میدان → B در اطراف سیم I → Bحامل جریان اشاره کنید.سیم حامل(الف) جریان درون سو (ب)تمرین ـ3 3جهت میدان مغناطیسی برایند (خالص) را ناشی از سیم های I aموازی و بلند حامل جریان را در هر یک از نقطه های ،a b و cپیدا کنید. ٔ نقطه b در ٔ فاصله مساوی از دو سیم قرار دارد. I bفنّاوری و کاربرد: میدان های مغناطیسی بدنتمام یاخته های ٔ زنده بدن انسان به طور الکتریکی فعال اند. جریان هایالکتریکی ضعیف در بدن، میدان های مغناطیسی ضعیف ولی قابل اندازه گیریتولید می‌کنند. ٔ اندازه میدان های حاصل از عضله های اسکلتی کوچک تراز -10 T ،10 یعنی در حدود یک میلیونیم میدان مغناطیسی زمین است.میدان های مغناطیسی حاصل از مغز بسیار ضعیف تر و در حدود 10 -12 Tهستند و برای اندازه گیری آنها باید مغناطیس سنج های بسیار حساس بهکار برد. در حال حاضر، چنین مغناطیس سنج هایی به نام اسکویید 1 ساختهشده اند. شکل روبه رو یک دستگاه اسکویید را نشان می‌دهد که در حالاندازه گیری میدان مغناطیسی تولید شده در مغز است.نیروی بین سیم های موازی حامل جریان: در آزمایش اورستد، دیدیم که در فضای اطراف هرسیم حامل جریان، میدان مغناطیسی وجود دارد. همچنین در بخش 4ــ3 با نیروی مغناطیسی وارد برسیم حامل جریان آشنا شدیم. حال فرض کنید برای تولید میدان مغناطیسی به جای آهنربا، از یک سیمحامل جریان استفاده کنیم. اگر سیم حامل جریان دیگری را در نزدیکی این سیم قرار دهیم، آیا نیرویی برآن وارد می‌شود؟ آزمایش نشان می‌دهد که پاسخ این پرسش مثبت است. به طوری که اگر جریان ها دریک جهت از دو سیم موازی بگذرند، نیروی بین آنها ربایشی است (شکل 16ــ3 الف). همچنین اگرجریان ها در دو جهت مخالف از دو سیم موازی بگذرند، نیروی بین آنها رانشی است (شکل .(ب)16ــ3Device(Interference Quantum)Superconducting SQUID 1ــ96